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TEcnOlOgIE & aPPlIcazIOnI

TDK-Lambda HFE2500-48 - 1U Hot Swap
Front End Power supply

naturale per prodotti di media e I primi Sic feT sul mercato sono vi destinati ad alimentatori industriali

alta potenza diventerà sempre più dispositivi a 1200V, destinati soprat- in classe <1000V proverranno in primo
vitale dal punto di vista di costi e tutto a inverter e ad applicazioni su luogo dalla tecnologia GaN.

dimensioni. Anche se un alimentatore motori per le energie rinnovabili. Anche se sono già disponibili
raffreddato a convezione naturale Al momento, l’uso di un SiC FET dispositivi GaN adatti a convertitori
non avrà mai la stessa dimensione di da 1200V è probabilmente troppo
DC-DC a bassa tensione, è probabile
un prodotto raffreddato a ventola, costoso per la maggior parte delle che dovremo attendere la seconda
molte apparecchiature potranno in applicazioni di alimentatori AC-DC parte del 2014 o l’inizio del 2015

ogni caso ospitare un alimentatore commerciali, anche se la convenienza per la disponibilità di dispositivi
di dimensioni ragionevoli senza il in termini di miglioramento dell’ef- adatti al primary-side di alimentatori
rumore della ventola o l’eventuale ri- ficienza può essere attraente. Per i
AC-DC. Nei primi anni, l’adozione di
schio di contaminazione da sostanze tradizionali alimentatori switched tali dispositivi sarà probabilmente
inquinanti in ingresso. mode, sono sufficienti dispositivi da limitata ai prodotti di fascia alta che

600-800V, e si prevede che i dispositi- richiedono la massima eficienza.

Tra Sic e Gan

Nuovi dispositivi di potenza che il Ruolo di altRi MateRiali un’adeguata progettazione termica è
utilizzano carburo di silicio (SiC) una delle criticità progettuali da ben
considerare. I parametri isici ell’ali-
e nitruro di gallio (GaN) saranno I componenti magnetici continueranno dmentazione continueranno a dominare
sempre più comuni negli alimentatori
AC-DC. Diodi SiC sono già in uso co- a migliorare, nuovi materiali in ferrite la maggior parte delle applicazioni per il
contribuiranno a ridurre le dimensioni di prossimo futuro con richiesta di elevata
mune per i prodotti ad alta efficienza base elepdte. Ottener un migleicienza come elemento chiave, che a
e questo spiegherà l’ulteriore calo erieimento in termini di eficienza signiica sua volta consente compattezza e minore
che il design dei componenti magnetici dissipazione di calore.
dei prezzi dei componenti - guidato
da volumi in crescita e da manufac- sarà più complesso in alcuni prodotti per Le aziende di maggior successo sono
turer orientati a dimensioni di wafer minimizzar lperdite del nucleo magne- probabilmente quelle che sviluppano
ee tico, anche se a un costo più elevato. tecnologie avanzate, legate in particolare
più grandi. I costi dei wafer in GaN Anche un uso eficiente delle ceramiche alla conversione di poteza digitale, spes-
dovrebbero essere significativamente diventerà più comune, soprattutto quando nso in collaborazione con le università.

inferiori rispetto ai SiC.

REPORT POWER n. 01/2014

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