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TECNOLOGIE & APPLICAZIONI
Scenario Memorie

Memorie, un settore in rapida evoluzione

La nascita delle Flash NAN

e CeRAM, la diffusione delle DRAM DDR4: il panorama dei dispositivi di memorizzazione

presenta oggi numerose novità interessanti

S Roberto Frazzoli
ono3-D NAND - Previsioni globali sulle forniture rispetto
inal mercato totale delle memorie NAND Figura 1
memorie, soprattutto sul fronte

dei dispositivi non volatili.
Parallelamente alle innovazioni

tecnologiche, si registra un’interes-
sante evoluzione del mercato, che ne-
gli ultimi tempi ha visto un aumento

della concentrazione dei produttori,
ma anche la nascita di alcune start up

significative. Attualmente, la maggior
parte degli osservatori concorda
nell’assegnare grande importanza allo

sviluppo delle Flash nAnD tridimen- Fonte: IHS Inc. October 2013
sionali, che sembrano essere desti-

nate nei prossimi anni a un notevole
successo commerciale: secondo iHS, Flash, cioè la necessità di ridurre varie decine di strati alternati di
ad esempio, nel 2017 i dispositivi ulteriormente il costo per bit a fronte ossido di silicio e nitruro di silicio,

3D rappresenteranno oltre il 65% del dell’impossibilità di rimpicciolire creando una sorta di lasagna.
mercato totale delle Flash NAND. ancora di più le geometrie. La Successivamente l’intera “lasagna”

sovrapposizione di diversi die, viene perforata dall’alto
infatti, consente di ridurre l’ingombro al basso, tramite una fase di incisione
del dispositivo in pianta, ma non (etch), creando un pattern di fori. “ La produzione di dispositivi

l’area di silicio complessiva, che Ciascuno dei fori così ottenuti viene tridimensionali ha portato un cambio
continua a essere pari alla somma quindi rivestito di polisilicio e
delle aree dei singoli die sovrapposti. di paradigma nel mercato ”
riempito di ossido.

I principali produttori di Flash In una fase successiva vengono

stanno lavorando per mettere a punto lA FAbbriCAzione praticate incisioni rettilinee tra i
dispositivi di questo tipo e Samsung Dellefori per creare altrettante colonne 65%

ha già presentato un prodotto Come si realizza, dunque, un separate tra loro. A questo punto,
basato sulla tecnologia 3D, un disco dispositivo Flash NAND monolitico un’ulteriore fase di incisione rimuove
a stato solido (SSD) per applicazioni tridimensionale? Crediamo valga selettivamente solo gli strati di
La quota
enterprise. la pena scendere - seppure nitruro di silicio. Sulla supericie
sinteticamente - nei dettagli di degli anelli così ottenuti viene quindi rappresentata
dai dispositivi 3D
Com’è noto, nelle Flash NAND questa soluzione, per evidenziare depositato uno strato di nitruro,
tridimensionali le celle di memoria che si tratta davvero di una grande poi uno strato di isolante ad alta sul totale delle
non sono soltanto afiancate le novità nel mondo dei semiconduttori. costante dielettrica (High-k), poi un
Flash NAND
une alle altre sullo stesso piano, Lo faremo prendendo come riempimento in tantalio. Si giunge
ma anche impilate su più strati. Va riferimento la tecnologia sviluppata così alla creazione, per ogni foro,

chiarito subito che stiamo parlando da Samsung e con l’ausilio delle di una pila di celle di memoria. Per
di dispositivi monolitici, non della spiegazioni fornite da un esperto accedere elettricamente alle singole
sovrapposizione di diversi die; del settore, Jim Handy (www. celle occorre però creare una sorta

quest’ultima soluzione, infatti, TheMemoryGuy.com). di scalinata, in modo da esporre la
non è una novità e non serve a Il primo passo consiste nel supericie di ogni singolo strato della

risolvere il problema di fondo delle depositare, su un substrato di silicio, lasagna. La scalinata viene prodotta

A&V ELETTRONICA Anno XXVI - 03/2014

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