Page 52 - AVE-3-2014

TECNOLOGIE & APPLICAZIONI
Scenario Memorie

concentrazione che ha lasciato sul
DRAM - Capital spending in percentuale di vendite Figura 2
mercato solo tre grandi produttori
di DRAM: Samsung, SK Hynix e

Micron; quest’ultima, com’è noto, ha
recentemente acquisito elpida.

le teCnoloGie AlternAtive

Prosegue la ricerca sul fronte delle
nuove soluzioni di memorizzazione
non volatile. Una delle tecnologie

più promettenti è la rAM resistiva
(RRAM). In questo campo si registra

l’attività di Crossbar (www.crossbar-
inc.com), una piccola società di
Santa Clara. Nella soluzione messa Fonte: IC Insights August 2013

a punto da Crossbar le celle di
memoria si trovano agli incroci di caratteristiche della cella di con una serie di incisioni successive,

griglie metalliche che possono essere memoria Flash adottata da Samsung traslando una singola maschera
sovrapposte tra loro per formare una (una “charge trap” denominata fotolitografica con piccolissimi passi
struttura tridimensionale. tAnoS, Tantalum-Alumina-Nitride- orizzontali. Occorre poi creare linee

Gli investimenti Oxide-Silicon), è lecito ipotizzare di accesso verticali, che devono
Sul fronte delle RAM resistive vanno che queste innovazioni possano “atterrare” con estrema precisione sui
dei produttori
segnalate le ricerche di Symetrix, una estendersi anche ad altri tipi singoli gradini.
startup di Colorado Springs, che ha nel settore di dispositivi, offrendo quindi
sviluppato il concetto della “Correlated delle DRAM una possibile soluzione per il

Electron RAM” (CeRAM). In estrema sono diminuiti superamento della legge di Moore. un nuovo pArADiGMA
sintesi, si tratta di una tecnologia Questa spiegazione consente di

in cui - a differenza delle normali evidenziare come la fabbricazione
RRAM - il cambiamento del valore di DrAM: ArrivAnole Ddi dispositivi tridimensionali
resistenza non richiede la formazione Sul fronte delle DRAM, intanto, rappresenti un significativo cambio

né la rottura di ilamenti all’interno prosegue come previsto lo sviluppo di paradigma nel mondo dei
del materiale tMo (Transition delle successive generazioni di semiconduttori, sebbene i materiali

Metal Oxide, ossidi degli elementi dispositivi: è ora la volta delle e le apparecchiature rimangano le
di transizione). Il cambiamento di DDr4. Il relativo standard JeDeC è stesse.
stato riguarda tutto il materiale nel stato messo a punto in settembre

suo complesso e avviene in virtù 2012 (ma si apprende che verrà
di un fenomeno quantistico che presto modiicato) e ora i nuovi “ Le DDR4 rappresentano

porta l’ossido a funzionare come un dispositivi iniziano a essere adottati l’ultima frontiera della tecnologia ”
“isolante di Mott”. nei computer di fascia più alta.

Un’altra tecnologia su cui - da anni Secondo gli osservatori, l’arrivo La riduzione delle geometrie perde
- si appuntano molte aspettative è delle DDR4 nei normali PC avverrà importanza, mentre diviene più utile

la phase Change Memory (PCM), intorno alla metà del 2015. Nel riuscire ad aumentare il numero
basata sui cambiamenti di stato dei frattempo, il mercato delle DRAM degli strati della “lasagna” e a
calcogenuri. Al momento sembra che sembra avere raggiunto la maturità. produrre incisioni perfettamente

questa soluzione non sia ancora del Ne sono convinti gli analisti di iC regolari - anche per fori molto
tutto matura. insights, che rileva come in questo profondi, anche nella direzione

Alcuni di questi lavori sono stati settore gli investimenti in capitale destra/sinistra. L’enfasi si sposta
svolti in Italia, in particolare al (Capex) da parte dei produttori quindi dagli apparati per litografia
Politecnico di Milano e alle università siano scesi a meno del 12% del giro agli apparati per la deposizione e

di Milano Bicocca, Pavia, Bologna e d’affari complessivo. La maturazione l’incisione. Sebbene il processo qui
Modena-Reggio Emilia. giunge al termine di un processo di descritto dipenda dalle particolari

A&V ELETTRONICA Anno XXVI - 03/2014

50